국전, 반도체 첨단소재 R&D 거점 구축…안양센터 개소

• 이노베이션센터 구축…100명 규모 연구인력 수용
• HBM·AI 반도체·전장 소재 개발 확대…2027년 상반기 양산 목표
• 스마트폰 경량화·방열 소재 상용화 추진…글로벌 고객사 공동개발 강화

[데일리팜=이석준 기자] 의약품·첨단소재 전문기업 국전이 반도체 첨단소재 연구개발(R&D) 거점을 구축하며 차세대 소재 사업 확대에 속도를 낸다.

국전은 11일 경기도 안양에 지하 1층·지상 5층 규모의 ‘이노베이션센터’를 개소했다고 밝혔다. 센터는 100명 이상의 연구 인력을 수용할 수 있는 규모로 조성됐다.

이노베이션센터는 회사 미래 성장동력을 책임질 핵심 R&D 거점이다. 앞으로 차세대 반도체와 디스플레이, 전장 등 고부가가치 첨단·스페셜티 및 기능성 소재 분야에서 글로벌 고객사와 공동 제품 개발과 기술 지원을 수행하는 전진기지 역할을 맡는다.

센터 개소와 함께 상용화 단계 기술 개발도 속도를 내고 있다. 현재 국내 고객사와 공동 개발 중인 스마트폰 경량화 소재 2품목은 다수의 샘플을 제출한 상태다. 국전은 2026년 하반기 상용화를 목표로 평가를 진행 중이다.

방열 소재 개발도 확대한다. 국전은 최근 반도체·전장 부품 산업 핵심 과제로 꼽히는 ‘방열 제어’ 솔루션 고도화를 추진하고 있다. 회사는 고열전도성 열경화 수지·경화제 시스템을 개발 중이며 열경화 수지 단독 평가 결과 0.6W/mk 이상의 열전도율을 확보했다.

또 이를 방열 접착제에 적용할 경우 무기 필러 함량을 50% 이하로 낮추면서도 4W/mk 이상의 열전도율 구현 가능성을 확인했다고 설명했다. 국전은 연말까지 1.0W/mk 이상 제품 개발을 완료하고 글로벌 고객사와 함께 2027년 상반기 양산 적용을 추진할 계획이다.

차세대 반도체 패키징 시장을 겨냥한 파이프라인 확대도 본격화했다. 국전은 FC-BGA 빌드업과 AI 반도체용 CCL 기판 저유전 소재, 차세대 고단층 HBM MUF용 전자급 고성능 에폭시 소재 개발 과정에서 신규 고객사들과 순차적으로 NDA(비밀유지계약)를 체결하고 공동 개발을 진행하고 있다. 이 역시 2027년 상반기 양산이 목표다.

이선우 소재기술연구소장은 “최근 공시된 HBM 공정용 첨단 소재 상용화를 교두보로 AI 반도체용 저유전 소재와 열 전달 소재를 국전 매출 성장을 견인할 핵심 동력으로 육성할 계획”이라며 “전사 역량을 집중해 국전만의 독자 기술을 완성하겠다”고 말했다.